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三星 超大V-NAND存储器出炉,容量1Tb
时间: 2017/8/12 10:33:22     来源: 博天人才     点击:8791
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据外媒消息,三星电子 NAND Flash 技术再升级,9 日宣布研发出容量达 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片。本次发布的1Tb V-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上,计划2018年推出最大容量的SSD产品。



据悉,当前最大的存储器是512GB,而三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片相当于它的两倍。三星称,该技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一。


1Tb 相当于 1024GB,以一部2小时的HD电影通常1.5-2GB来看,能够储存500多部两小时的高画质电影。


三星表示,许多产业发展人工智慧和物联网,数据密集的应用程式大增,Flash 存储器扮演关键角色,可以加快资料抽取速度,以供即时分析。三星电子本次发布的1Tb V-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上,计划2018年推出最大容量的SSD产品。


同时,三星发布 NGSFF 固态硬盘(Next Generation Small Form Factor SSD),将取代当前的 M.2 SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍,将于今年第四季量产。


从 2013 年三星电子在全球率先实现 V-NAND (第一代,24层)量产,到今年实现第四代 V-NAND 的量产引领创新,三星存储器部门高层表示,未来三星电子将积极应对人工智能(AI)、大数据等未来高新半导体的需求。


上个月,三星曾宣称,截至今年年底,64层芯片将在其月度NAND闪存生产总量当中占据超过一半比例。期待着尽快迈入TB级别V-NAND时代,这意味着芯片存储容量将提升4倍。具体来讲,三星公司需要提升堆叠层数以及/或者进一步缩小单元尺寸——亦可能二者兼而有之。

随着将供应领先的新V-NAND产品,三星希望行业更加注重Memory存储的高性能和可靠性,而不是执着于芯片投资生产规模的竞争。


三星公司目前在芯片容量与每层容量方面皆落后于其它竞争对手,随着芯片内堆叠层数的不断提升,以上难点将带来更为严峻的制造挑战,因此可以预见,其必然将奋起直追以缩小差距。

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