看好 DRAM、NAND 型快闪存储器的发展，三星电子、SK 海力士传出今年的投资额，将刷新历史新高纪录。据韩联社报导，三星、SK 海力士今年的投资额将高达 30 万亿韩元（相当于 267 亿美元）。

其中，三星已在上半年对设备投资了 12.5 万亿韩元，比去年增长11%。去年三星电子半导体设备投资额为113亿美元，同比增长13%。

三星电子半导体设备投资金额连续两年居全球首位，专家估计，三星今年的投资总额或许会攀升至 20 万亿韩元，而 V-NAND 型快闪存储器、影像感测器和晶圆代工业务将是投资重点。

上个月的今天，韩国三星电子表示，计划在韩国投资至少21.4万亿韩元（约合186.3亿美元），以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。

作为世界最大的记忆芯片生产商，三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外，位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元，将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。

以往半导体产业的竞争要素在产能扩大与降低成本，但制程愈趋于先进，研发难度提高，投资规模扩大不保证能带来对等获利。面对产业环境改变，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技术创新开拓全球市场。

据韩媒每日经济报导，SK海力士决定在今年对设备投资 9.6 万亿韩元来提高下半年，10纳米级DRAM生产比例，并持续增加14纳米NAND Flash产量，以取得更具优势的成本竞争力，提高事业获利性。

SK海力士表示，在变化多端的半导体市场与竞争结构中，唯有透过大胆进行研发投资加强技术竞争力，才能维持市场领导地位。

不少人担忧，三星、SK 海力士投资大增，恐怕会让产能过剩，最终导致供给过多、报价下滑。

美国存储器大厂美光最近就因为市场忧心供需失衡，股价连番下挫，自 7 月 24 日起跌迄今，股价已重挫逾 11%。

不过，美系外资分析师 Christopher Danely 发布研究报告指出，美光股价近来虽因市场担忧存储器产能过多而下滑，但今年增加的 DRAM 资本支出（从 89 亿美元上升至 99 亿美元）其实并不多，不致于会导致产业景气降温。